Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device
應(ying)用(yong)范圍:用于常(chang)規質量控制、精(jing)密材(cai)料研發的單晶和多晶片及晶錠(ding)的壽命測量
根據SEMI標準(zhun)PV9-1110的非接(jie)觸式和無損成(cheng)像(μPCD / MDP(QSS))、光電導性、電阻率(lv)和p/n檢查。
晶(jing)圓切割(ge),爐內監控(kong),材料優(you)化(hua)等。
日常(chang)壽命測量(liang),質量(liang)控制和(he)檢驗
◆產量(liang):>240塊/天(tian)(tian)或>720片/天(tian)(tian)
◆測量(liang)速度:對(dui)于156x156x400mm標準(zhun)晶錠,<4分鐘
◆生產改善(shan):1mm切割(ge)標準(zhun)為(wei)156x156x400mm標準(zhun)晶錠
◆質(zhi)量(liang)控制:用于(yu)過程和材(cai)料(liao)的(de)質(zhi)量(liang)監控,如單(dan)晶硅或(huo)多晶硅
◆污染測(ce)定(ding):起(qi)源于爐和設備的金屬(Fe)
◆可(ke)靠(kao)性:模塊化和堅固耐用的(de)工業儀器,更(geng)高的(de)可(ke)靠(kao)性和運行時(shi)間> 99%
◆可重復性:> 99.5%
◆電阻率:不(bu)需要經常校準(zhun)
精(jing)密材料研發
鐵濃度(du)測定
陷阱(jing)濃度測(ce)定
硼氧測定
依賴于注(zhu)入的測量(liang)等
特(te)性
*無觸(chu)點無破壞的半導體特性
特殊的“表面之(zhi)下”壽命測量技(ji)術
不可(ke)見缺陷的(de) 靈敏(min)度(du)的(de)可(ke)視化
自動切割標準定義
空間(jian)分辨p/n電導型(xing)變換檢測
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